Каталог Увійти
Транзистор TGAN30N135FD1

Транзистор TGAN30N135FD1

120
В наявності
Доставимо
  • Самовивіз: Нова Пошта на відділення / поштомат, Відправимо сьогодні
  • Кур’єр: Нова Пошта кур’єр, Відправимо сьогодні

Доставляємо швидко та обережно

Оплатити можна
  • Готівкою при отриманні
  • Передоплата онлайн Передоплата онлайн
  • По рахунку (для ФОП та юр. осіб)
  • По реквізитах
Повернення товару
  • протягом 14 днів згідно законодавства України
Гарантія на товар
  • Гарантія від офіційного виробника
Характеристики
Опис товару
Найменування: TGAN30N135FD1
   Тип транзизора: IGBT + Diode
   Тип керівного каналу: N
   Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 329
   Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 1350
   Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 25
   Максимальний постійний струм колектора Ic @25°C, A: 60
   Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.9
   Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 7
   Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
   Час наростання типова (tr), nS: 14
   Ємність колектора типова (Cc), pf: 85
   Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
   Тип корпусу: TO3PN
Відгуки 0
    Відгуків ще не розміщували
Останні переглянуті товари
Telegram
Viber
WhatsApp
Подзвонити менеджеру