Передоплата онлайнОпис товару
Найменування: MGD622
Тип транзизора: IGBT
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 90
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 30
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 40
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 2.1
Максимальна порогова напруга затвора-емітер VGE(th), V: 7
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типове (tr), nS: 90
Місткість колектора типова (Cc), pf: 80
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 40
Тип корпуса: TO3P
Тип транзизора: IGBT
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 90
Гранично-допустима напруга колектор-емітер
Максимально допустима напруга іміттер-закрива
Максимальний постійний струм колектора
Напруга насичення колектор-емітер типова
Максимальна порогова напруга затвора-емітер
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типове (tr), nS: 90
Місткість колектора типова (Cc), pf: 80
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 40
Тип корпуса: TO3P
