Передоплата онлайнОпис товару
Найменування: IGW50N60T
Тип транзизора: IGBT
Маркування: G50T60
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 333
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 90
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.5
Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 5.7
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 175
Час наростання типове (tr), nS: 29
Місткість колектора типова (Cc), pf: 200
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 310
Тип корпусу: TO247
Тип транзизора: IGBT
Маркування: G50T60
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 333
Гранично-допустима напруга колектор-емітер
Максимально допустима напруга іміттер-закрива
Максимальний постійний струм колектора
Напруга насичення колектор-емітер типова
Максимальна порогова напруга затвор-емітер
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 175
Час наростання типове (tr), nS: 29
Місткість колектора типова (Cc), pf: 200
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 310
Тип корпусу: TO247
