Транзистор G50N60T (IGW50N60T)

Наименование: IGW50N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G50T60
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 333
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 90
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 29
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 310
   Тип корпуса: TO247