Передоплата онлайнОписание товара
Наименование: IGW30N60T
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G30T60
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 187
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 21
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 108
Тип корпуса: TO247
