Транзистор MGD623S

Наименование: MGD623S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N-Channel
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 100
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 150pf
   Тип корпуса: TO3P