Транзистор FGA3060ADF

Транзистор FGA3060ADF

   Найменування: FGA3060ADF
   Тип транзизора: IGBT + Diode
   Тип керівного каналу: N
   Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 176
   Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
   Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
   Максимальний постійний струм колектора Ic @25°C, A: 60
   Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.8
   Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 7.6
   Максимальна температура переходу (Tj), °C: 175
   Час наростання типове (tr), nS: 19.2
   Місткість колектора типова (Cc), pf: 36
   Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 37.4
   Тип корпуса: TO3PN