Транзистор IXXH30N60B3

Наименование: IXXH30N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N-Channel
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 270
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 36
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 137
   Тип корпуса: TO247