Передоплата онлайнОписание товара
Наименование: STGWT40H65FB
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: GWT40H65FB
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 283
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 13
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 198
Тип корпуса: TO3P
