Транзистор SGT60N60FD1P7 (60N60FD1)

Наименование: SGT60N60FD1P7
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: 60N60FD1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 321
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 142
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 294
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 179
   Тип корпуса: TO247