Передоплата онлайнОписание товара
Наименование: JNG25N120HS
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 220
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 45
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 35
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 210
Тип корпуса: TO247
