Передоплата онлайнОписание товара
Наименование: IHW25N120R3
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: H25R1203
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.48
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
Тип корпуса: TO247