Передоплата онлайнОписание товара
Наименование: FGA25N120ANTD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 312
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 60
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
Тип корпуса: TO3P
